| 制造商编号 | HTMN5130SSD-13 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-HTMN5130SSD-13 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOSFET | |
| FET类型 | 2N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 130mΩ@3A,10V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 218.7pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.9nC @ 10V | |
| 封装/外壳 | 8-SO | |
| 工作温度 | -55℃~175℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 55V | |
| 连续漏极电流Id | 2.6A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ZVP4525E6TA | 1,696 |
| DMN62D0UDW-13 | 503 |
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