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MOSFET   PowerDI3333-8

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制造商编号 DMT6009LFG-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMT6009LFG-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 2.08W(Ta),19.2W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V
栅极电压Vgs ±16V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 11A(Ta),34A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V
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