制造商编号 | TP0610K-T1-GE3 |
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制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-TP0610K-T1-GE3 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.7nC @ 15V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 23pF @ 25V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-23-3 | |
连续漏极电流Id | 185mA | |
Pd-功率耗散(Max) | 350mW | |
Qg-栅极电荷 | 1.7nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 6Ω | |
漏源极电压Vds | 60V | |
栅极电压Vgs | 1V | |
典型关闭延迟时间 | 35ns | |
典型接通延迟时间 | 20ns | |
正向跨导 - 最小值 | 80mS | |
系列 | TP0 | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-5天 |
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
漏电流低,稳定性高,可进行波峰焊和回流焊
低正向压降,低漏电流,高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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L2SK3018WT1G | 381,001 |
L2N7002LT1G | 210,550 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 60,000 |
S-L2N7002SLT1G | 51,000 |
PMZ600UNEYL | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 34 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
¥0.9383
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4,896 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.1A 806mW 600mΩ 60V 1V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |