| 制造商编号 | SI2302CDS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-SI2302CDS-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 翻译
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参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 850mV @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.5nC @ 4.5V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| 连续漏极电流Id | 2.9A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 860mW | |
| Qg-栅极电荷 | 5.5nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 栅极电压Vgs | 400mV | |
| 上升时间 | 7ns | |
| 下降时间 | 7ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 30ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8ns | |
| 宽度 | 1.60mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 13S | |
| 系列 | SI2 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1.45mm |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期:
3天-5天
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集成了高边和低边功率MOSFET的同步降压稳压器,3V~24V宽输入电压、24A连续输出电流
极低的正向压降(低至1.45V)和超快的反向恢复时间(最短 45 ns)
超小型环境光传感器(ALS),集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器,符合车规AEC-Q101标准
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LN4812LT1G | 270,000 |
| LBSS8402DW1T1G | 213,955 |
| 2N7002BK,215 | 201,100 |
| BSS84AK,215 | 126,010 |
| S-L2N7002SLT1G | 60,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
¥0.5239
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4,185 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A |
¥1.639
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744 | 对比 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSS806NE H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 2.3A 41mΩ 8V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |