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小信号MOSFET   -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 SI2302CDS-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A-SI2302CDS-T1-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
连续漏极电流Id 2.9A
Pd-功率耗散(Max) 860mW
Qg-栅极电荷 5.5nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ
漏源极电压Vds 20V
栅极电压Vgs 400mV
上升时间 7ns
下降时间 7ns
典型关闭延迟时间 30ns
典型接通延迟时间 8ns
宽度 1.60mm
正向跨导 - 最小值 13S
系列 SI2
通道数量 1Channel
配置 Single
长度 2.9mm
高度 1.45mm
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-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV

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±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

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