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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-247-4 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 176W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ@21A,18V | |
| 工作温度 | 175℃ | |
| 栅极电压Vgs | +21V，-4V | |
| 漏源极电压Vds | 1200V | |
| 连续漏极电流Id | 43A | |
| 产品特性 | 车规 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按30的倍数下单） |
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| 30 + | ￥34.7814 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：30
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：30 | 倍数：30 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV1Q06040T3 | 1,755 |
| CRXQ25M065G1 | 1,127 |
| IMZA65R027M1H | 695 |
| IV2Q06025T4Z | 495 |
| IV2Q06040T4Z | 446 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT4036KRHRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥34.7814
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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SCT4036KRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥48.816
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9,900 | 对比 | ||||||||||
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SCT4036KRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥131.7485
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439 | 对比 | ||||||||||
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SCT4036KRC15 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥131.7485
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342 | 对比 | ||||||||||
|
SCT4036KEHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥134.0003
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330 | 对比 | ||||||||||
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SCT4036KEHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥134.0003
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85 | 对比 |
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