制造商编号 | SN7002N E6327 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-SN7002N E6327 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 200mA(Ta) | |
FET类型 | N 通道 | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 26uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 45pF @ 25V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,200 |
NX138AKR | 30,000 |
PMV20ENR | 12,000 |