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功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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制造商编号 IRF1407STRRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRF1407STRRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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商品目录 功率MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc)
FET类型 N 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 7.8 毫欧 @ 78A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),200W(Tc)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 75V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
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