| 制造商编号 | IPD80R1K4CEBTMA1 |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IPD80R1K4CEBTMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 3.9A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 2.3A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 240uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 570pF @ 100V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 63W(Tc) | |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
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交期： 请咨询客服 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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