| 制造商编号 | IPB081N06L3GATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | IPB081N06L3 G |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IPB081N06L3GATMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 50A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 8.1 毫欧 @ 50A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 34uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 4900pF @ 30V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29nC @ 4.5V | |
| 功率耗散(最大值) | 79W(Tc) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB081N06L3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB081N06L3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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IRL3705NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
￥7.557
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65 | 对比 | ||||
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IRF3205STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 11 | 对比 | ||||
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IRF1010ZSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF3205STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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