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小信号MOSFET   N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

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制造商编号 BSS306NH6327XTSA1
商品别名 BSS306N H6327
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSS306NH6327XTSA1
供货
无铅情况/RoHs 不符合RoHs
描述
 MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
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商品目录 小信号MOSFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 2.3A(Ta)
FET类型 N 通道
Vgs(最大值) ±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 57 毫欧 @ 2.3A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 11uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 275pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 5V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
产品特性 车规
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS306NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS306N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.8822 

阶梯数 价格
60: ¥0.8822
200: ¥0.6094
1,500: ¥0.5533
24,488 对比
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
100: ¥0.5044
500: ¥0.4589
2,500: ¥0.4251
5,000: ¥0.3965
10,000: ¥0.364
19,639 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.3549
1,500: ¥0.3081
3,000: ¥0.273
10,075 对比
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta)

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.364
750: ¥1.221
1,500: ¥1.144
2,988 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
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