| 制造商编号 | BSS306NH6327XTSA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSS306N H6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BSS306NH6327XTSA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 不符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 2.3A(Ta) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 57 毫欧 @ 2.3A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 11uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 275pF @ 15V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 5V | |
| 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | |
| 产品特性 | 车规 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002LT1G | 30,000 |
| PMZB200UNEYL | 15,500 |
| S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
| 2N7002HR | 12,000 |
| LMN2500N3T5G | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSS306NH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS306N H6327_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5239
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16,131 | 对比 | ||||||||||
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DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.4953
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9,689 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta) |
￥1.705
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2,456 | 对比 | ||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.8822
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2,084 | 对比 | |||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥1.6596
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5 | 对比 |
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