制造商编号 | BSD235CH6327XTSA1 |
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商品别名 | BSD235C H6327 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-BSD235CH6327XTSA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 不符合RoHs |
描述 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 950mA,530mA | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
FET类型 | N+P-Channel | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 350 毫欧 @ 950mA,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.6uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 47pF @ 10V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.34nC @ 4.5V | |
功率-最大值 | 500mW | |
封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
产品特性 | 车规 |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度,适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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L2N7002LT1G | 30,000 |
PMZB200UNEYL | 15,500 |
S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
2N7002HR | 12,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSD235C H6327_N+P-Channel 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
¥0.6149
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23,950 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |