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RF二极管   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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制造商编号 BAS21E6433HTMA1
商品别名 BAS 21 E6433
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BAS21E6433HTMA1
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
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参数 参数值 操作
商品目录 RF二极管
不同If时电压-正向(Vf) 1.25V @ 200mA
不同Vr时电流-反向泄漏 100nA @ 200V
不同 Vr、F时电容 5pF @ 0V,1MHz
二极管类型 标准
反向恢复时间(trr) 50ns
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度-结 150°C(最大)
电压-DC反向(Vr)(最大值) 200V
电流-平均整流(Io) 250mA(DC)
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
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