制造商编号 | BAR66E6327HTSA1 |
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商品别名 | BAR 66 E6327 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-BAR66E6327HTSA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | RF二极管 | |
不同 If、F时电阻 | 1.8 欧姆 @ 5mA,100MHz | |
不同 Vr、F时电容 | 0.6pF @ 35V,1MHz | |
二极管类型 | PIN - 1 对串联 | |
功率耗散(最大值) | 250mW | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
电压-峰值反向(最大值) | 150V | |
电流-最大值 | 200mA |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度,适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BAR66E6327HTSA1 | Infineon | 数据手册 | RF二极管 |
BAR 66 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RN779FT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | PIN二极管 |
SOT-323 50V 1V 50mA -55℃~150℃ 0.9pF 7 Ohms @ 10mA,100MHz |
¥1.1404
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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RN779FT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | PIN二极管 |
SOT-323 50V 1V 50mA -55℃~150℃ 0.9pF 7 Ohms @ 10mA,100MHz |
暂无价格 | 2,660 | 对比 | ||||||||||
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RN739FT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | PIN二极管 |
SOT-323 50V 1V 50mA -55℃~125℃ 0.4pF 7 Ohms @ 10mA,100MHz |
¥1.4853
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2,480 | 对比 | ||||||||||
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RN779FT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | PIN二极管 |
SOT-323 50V 1V 50mA -55℃~150℃ 0.9pF 7 Ohms @ 10mA,100MHz |
¥1.1404
|
2,200 | 对比 | ||||||||||
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RN739FT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | PIN二极管 |
SOT-323 50V 1V 50mA -55℃~125℃ 0.4pF 7 Ohms @ 10mA,100MHz |
¥3.3937
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64 | 对比 |