| 制造商编号 | SI4056ADY-T1-GE3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-SI4056ADY-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 5.9A(Ta),8.3A(Tc) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29.2 mOhms @ 5.9A,10V | |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5W(Tc) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ | |
| 漏源极电压Vds | 100V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
16位高分辨率ALS具有出色的传感功能，具有足够的选择来满足大多数应用
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 510,000 |
| LP2301LT1G | 393,000 |
| PJA3430_R1_00001 | 63,000 |
| CRSM013N06N4Z | 50,000 |
| AONR21357_203 | 30,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI4056ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃ |
￥25.403
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1,980 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃ |
￥19.6519
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97 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A |
￥13.2013
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95 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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