| 制造商编号 | MDU1511RH |
|---|---|
| 制 造 商 | MAGNACHIP(美格纳) |
| 唯样编号 | A-MDU1511RH |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1511RH, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 100 A | |
| 漏源极电压Vds | 30 V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5 m0hms | |
| 栅极电压Vgs | 2.7V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 功率 | 78.1 W | |
| 典型接通延迟时间 | 11.2 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 45.6 ns | |
| 漏源极电压Vds | 3347 pF @ 15 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 1.10mm | |
| 正向跨导 | 45S | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 封装/外壳 | PowerDFN56 |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
|
暂无价格 |
|
|
最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
|
交期： 请咨询客服 |
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
2512封装，专为高电流、高功率应用设计，具备优异的电气性能和机械稳定性
基于ARM® Cortex-M4F内核，集成DSP与浮点单元（FPU），主频高达120MHz
超微型保险丝，专为低电流精密电路保护设计
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LP2301LT1G | 450,000 |
| CRSM013N06N4Z | 165,000 |
| LP2305DSLT1G | 48,000 |
| PJA3461-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| S-LP3407LT1G | 15,015 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
