| 制造商编号 | PMPB07R3ENX |
|---|---|
| 商品别名 | PMPB07R3EN |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PMPB07R3ENX |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN2020M-6 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.6mΩ@12A,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 12.5W(Tc) | |
| 连续漏极电流Id | 12A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1 + | ￥3.1183 |
| 100 + | ￥2.3623 |
| 1,000 + | ￥1.8456 |
| 1,500 + | ￥1.5128 |
整包（请按3000的倍数下单） |
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| 3,000 + | ￥1.3154 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 156,000 |
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| IPB017N10N5 | 26,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMPB07R3ENX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PMPB07R3EN_DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A |
￥3.1183
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420 | 当前型号 | ||||||||||||
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PMPB07R3ENAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PMPB07R3EN_ |
￥2.3623
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0 | 对比 | ||||||||||||
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PMPB07R3ENAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PMPB07R3EN_ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.7023
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2,490 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 110 | 对比 | ||||||||||||
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.5573
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88 | 对比 |
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