| 制造商编号 | SI2338DS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-SI2338DS-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
N-Channel 30 V 28 mOhm 13 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 系列 | TrenchFET® | |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 424pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta),2.5W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 28m Ohms@5.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 6A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23mΩ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按3000的倍数下单） |
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| 3,000 + | ￥1.3941 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
23W
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| 起订量： 3,000 | 倍数：3,000 |
集成了高边和低边功率MOSFET的同步降压稳压器，3V~24V宽输入电压、24A连续输出电流
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJQ5548-AU_R2_002A1 | 174,000 |
| S-LP3407LT1G | 144,000 |
| LP2301LT1G | 123,200 |
| CRSM013N06N4Z | 91,000 |
| LN2308LT1G | 57,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2338DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ |
￥1.3941
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0 | 当前型号 | ||||
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IRLML6344TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23 |
暂无价格 | 3,048 | 对比 | ||||
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FDN537N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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IRLML0030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 27mΩ@5.2A,10V N-Channel 30V 5.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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PMV20EN | Nexperia | 通用MOSFET |
N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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FDN537N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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