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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 430pF @ 10V | |
| 封装/外壳 | 8-SOP | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 6.5A(Ta) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
| 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 6.1nC @ 5V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 6.5A,10V |
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专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
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承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
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