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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
FET类型 | N 通道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1500pF @ 10V | |
封装/外壳 | CPT3 | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 22A(Tc) | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | |
功率耗散(最大值) | 850mW(Ta),20W(Tc) | |
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 30nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 22A,10V |
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承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
IRLR2905PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
TK20S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK+ |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD25N06S4L-30_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
AUIRLR2905TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
IRFR4105Z | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |