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功率MOSFET   SOT-23

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制造商编号 IRLML6401TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A3-IRLML6401TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
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商品目录 功率MOSFET
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.3A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
FET类型 P-Channel
连续漏极电流Id 4.3A
漏源极电压Vds 12V
封装/外壳 SOT-23
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V
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商品简介

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