参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 38A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 60W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 25mΩ | |
| VGS(th) | 3 | |
| Ciss(pF) | 1920 | |
| Coss(pF) | 155 | |
| Crss(pF) | 116 | |
| Qg*(nC) | 24.2 | |
| Qgd(nC) | 14.4 | |
| Td(on)(ns) | 7.4 | |
| Td(off)(ns) | 28.2 | |
| Trr(ns) | 3 | |
| Qrr(nC) | 46 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| GP3139 | 93,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| S-LP80N04D2 | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD442 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
STD35NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.267
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2,155 | 对比 | ||||||||
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|
STD35NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AUIRFR3806TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D-PAK(TO-252AA) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
STD35NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IPD350N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD350N06LGBTMA1_60V 29A 35mΩ@29A,10V 10V 68W N-Channel -55°C~175°C TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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