参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 连续漏极电流Id | 4A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@4A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 65mΩ | |
| Rds On(Max)@2.5V | 85mΩ | |
| VGS(th) | 1.5 | |
| Ciss(pF) | 235 | |
| Coss(pF) | 35 | |
| Crss(pF) | 18 | |
| Qg*(nC) | 4.7 | |
| Qgd(nC) | 1.6 | |
| Td(on)(ns) | 3.5 | |
| Td(off)(ns) | 17.5 | |
| Trr(ns) | 8.5 | |
| Qrr(nC) | 2.6 | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5161
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17,149 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
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6,510 | 对比 | |||||||||||||
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ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.8A(Ta) |
￥1.529
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4,098 | 对比 | ||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.6193
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2,681 | 对比 |
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