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功率MOSFET   P-Channel 5.7A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 6A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) WDFN 60V 5.7A

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制造商编号 NTTFS5116PLTAG
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3-NTTFS5116PLTAG
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 5.7A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 6A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) WDFN 60V 5.7A
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 P-Channel
连续漏极电流Id 5.7A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1258pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V
功率 3.2W(Ta),40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 52 毫欧 @ 6A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳 WDFN
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 5.7A
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