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通用MOSFET   1A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 300m Ohms@1.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1A 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

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制造商编号 NDS332P
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3-NDS332P
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3
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商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 1A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 300m Ohms@1.1A,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳 SuperSOT
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 1A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V
功率 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

1A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 300m Ohms@1.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1A 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

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