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通用MOSFET   4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C ~ 150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V

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制造商编号 NDT3055
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-NDT3055
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 60 V 0.1 O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 4A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 100m Ohms@4A,10V
工作温度 -65°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
连续漏极电流Id 4A
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 30V
功率 3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 100 毫欧 @ 4A,10V
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4 A
Rds On(Max)@Id,Vgs 180 m0hms
栅极电压Vgs -20 V、+20 V
封装/外壳 SOT-223
引脚数目 3+Tab
晶体管配置
FET类型 增强
功率 3W
最高工作温度 +150 °C
宽度 3.7mm
最低工作温度 -65 °C
长度 6.7mm
每片芯片元件数目 1 Ohms
正向跨导 6S
高度 1.7mm
封装/外壳 6.7*3.7*1.7mm
晶体管材料 Si
漏源极电压Vds 250 pF @ 30 V
典型关断延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 10 ns
正向二极管电压 1.2V
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NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

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