| 制造商编号 | SQ2310ES-T1_GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A1-SQ2310ES-T1_GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET
|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | SQ | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.5nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 10V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30mΩ@5A,4.5V | |
| 产品特性 | 车规 |
来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。
符合 AEC-Q101 标准
接点温度高达 +175°C
低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
创新型节省空间封装选项
AEC-Q101
来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。
符合 AEC-Q101 标准
接点温度高达 +175°C
低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
创新型节省空间封装选项
AEC-Q101
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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库存不足
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
生产日期 : 特惠价格，或有DC超期，具体请同客服确认 .
此物料保证原装正品，请注意生产日期。
一经售出，概不退换
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
电子产品在不同环境条件下进行温度控制的理想选择，响应时间低至t0.9≤2秒
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 2W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 6A(Tc) 30mΩ@5A,4.5V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥0.7513
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52,345 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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8,825 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V |
￥0.4589
|
2,359 | 对比 |
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