| 制造商编号 | SI7101DN-T1-GE3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-SI7101DN-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
P-Channel 30 V 52 W 32 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPak 1212-8 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | TrenchFET® | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 102nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3595pF @ 15V | |
| 栅极电压Vgs | ±25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.2mΩ@15A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 35A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.2mΩ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-5天
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集成了高边和低边功率MOSFET的同步降压稳压器，3V~24V宽输入电压、24A连续输出电流
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SI7617DN-T1-GE3 | 300,000 |
| NCEP035N85GU | 85,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 66,000 |
| JMSL1020AGDQ-13 | 45,000 |
| CRSQ027N10N | 33,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI7101DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 35A(Tc) ±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) 7.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 30V 35A 7.2mΩ |
暂无价格 | 5 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥1.76
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32,513 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥4.705
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23,995 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥4.705
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4,100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥5.9019
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30 | 对比 |
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