| 制造商编号 | BUK9M85-60EX |
|---|---|
| 商品别名 | BUK9M85-60E |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-BUK9M85-60EX |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 导通电阻Rds(On) | 73mΩ@5A,10V | |
| 功率耗散Pd | 31W | |
| 工作温度 | -55°C~175°C | |
| 栅极电压Vgs | ±10V | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 输入电容 | 326pF | |
| 输出电容 | 46pF | |
| 连续漏极电流Id | 12.8A | |
| 封装/外壳 | LFPAK33 |
N 沟道 60 V，85 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
N 沟道 60 V，85 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK33 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK33 (Power33) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-5天
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| 起订量： 330 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NTMFS6H852NLT1G | 183,000 |
| WSD6056DN56 | 180,000 |
| S-LP2408LT1G | 144,245 |
| NCEP028NH85D | 88,000 |
| JMSL0608PU-13 | 75,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BUK9M85-60EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 73mΩ@5A,10V 31W -55°C~175°C ±10V 60V 12.8A LFPAK33 |
￥4.0928
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7,500 | 当前型号 | ||||||||
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SQS462ENW-T1_GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
