制造商编号 | PSMN030-150P,127 |
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商品别名 | PSMN030-150P |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-PSMN030-150P,127 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT78 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 30mΩ@10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 250W | |
工作温度 | 175℃ | |
栅极电压Vgs | 3V | |
漏源极电压Vds | 150V | |
输入电容 | 3680pF | |
输出电容 | 470pF | |
连续漏极电流Id | 55.5A |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 请咨询客服 |
起订量:20 | 倍数:1 |
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM,非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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PSMN030-150P,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN030-150P_SOT78 N-Channel 250W 175℃ 3V 150V 55.5A |
¥13.6428
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0 | 当前型号 | ||||||
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IRFB4321PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 85A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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IRFB4115PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 380W(Tc) 11mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 104A 150V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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IPP075N15N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP075N15N3GXKSA1_TO-220-3 N-Channel 300W 7.5mΩ@100A,10V -55°C~175°C ±20V 150V 100A |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||
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IRFB52N15DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 32mΩ@36A,10V N-Channel 150V 51A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPP200N15N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP200N15N3GXKSA1_150V 50A 20mΩ 10V 150W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |