制造商编号 | PMV65UNER |
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商品别名 | PMV65UNE |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-PMV65UNER |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
封装/外壳 | SOT23 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 73mΩ@2.8A,4.5V | |
Pd-功率耗散(Max) | 0.49W | |
工作温度 | -55°C~150°C | |
栅极电压Vgs | ±8V | |
漏源极电压Vds | 20V | |
输入电容 | 291pF | |
输出电容 | 52pF | |
连续漏极电流Id | 3.4A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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1 + | ¥1.094 |
100 + | ¥0.8288 |
1,000 + | ¥0.6475 |
1,500 + | ¥0.5307 |
整包(请按3000的倍数下单) |
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3,000 + | ¥0.4615 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-5天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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L2SK3018WT1G | 381,001 |
L2N7002LT1G | 210,550 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 60,000 |
S-L2N7002SLT1G | 51,000 |
PMZ600UNEYL | 15,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PMV65UNER | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMV65UNE_SOT23 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V 20V 3.4A |
¥1.094
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15,055 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 142,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
¥0.4056
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111,854 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C |
¥0.5753
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29,222 | 对比 | ||||||||||||||||
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NDS331N | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 160m Ohms@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 20V 1.3A 1.3A(Ta) 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
¥0.8261
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20,978 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
¥2.2423
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19,416 | 对比 |