| 制造商编号 | PSMN3R8-100BS,118 |
|---|---|
| 商品别名 | PSMN3R8-100BS |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PSMN3R8-100BS,118 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT404 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 3.9mΩ@10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 306W | |
| 工作温度 | 175℃ | |
| 栅极电压Vgs | 3V | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 输入电容 | 9900pF | |
| 输出电容 | 660pF | |
| 连续漏极电流Id | 120A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：210 | 倍数：1 |
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM，非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN3R8-100BS_SOT404 |
￥15.4899
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IPB027N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3 |
￥31.5261
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263AB |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||||
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AOB290L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB042N10N3GATMA1_PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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IPB027N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB027N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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