| 制造商编号 | PSMN7R0-30YL,115 |
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| 商品别名 | PSMN7R0-30YL |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PSMN7R0-30YL,115 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 12.2 mOhm 10 nC 51 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT669 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 7mΩ@10V,9.1mΩ@4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 51W | |
| 工作温度 | 175℃ | |
| 栅极电压Vgs | 1.7V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 输入电容 | 1270pF | |
| 输出电容 | 255pF | |
| 连续漏极电流Id | 76A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：360 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 405,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,055 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PSMN7R0-30YL,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN7R0-30YL_SOT669 N-Channel 51W 175℃ 1.7V 30V 76A |
￥2.3624
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0 | 当前型号 | ||||||||
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BSC080N03MSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC080N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC072N03LD G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC072N03LDGATMA1_30V 20A 6mΩ 20V 57W 2N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSC090N03MSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC090N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOL1414 | AOS | 功率MOSFET |
14A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±12V 6.5 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2.08W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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BSC080N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC080N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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