| 制造商编号 | PESD3V3S2UT,215 |
|---|---|
| 商品别名 | PESD3V3S2UT |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PESD3V3S2UT,215 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
PESDxS2UT Series 20 V 207 pF SMT Double ESD Protection Diode - SOT-23-3 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | ESD抑制器 | |
| 封装/外壳 | SOT23 | |
| 反向击穿电压Vbr | 5.2V | |
| 钳位电压Vc | 20V | |
| 反向工作电压Vrwm | 3.3V | |
| 峰值脉冲电流Ipp | 18A | |
| 工作温度 | -65°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 5 + | ￥2.0388 |
| 100 + | ￥1.5102 |
| 1,000 + | ￥1.1187 |
| 1,500 + | ￥0.917 |
整包（请按3000的倍数下单） |
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| 3,000 + | ￥0.7974 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-5天
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| 起订量： 5 | 倍数：1 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LESD8D5.0CAT5G | 1,000,000 |
| LESD9L5.0CT5G | 88,000 |
| LESD8LL5.0T5G | 50,000 |
| S-LESD3224CT1G | 33,530 |
| LR2105LT1G | 33,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PESD3V3S2UT,215 | Nexperia | 数据手册 | ESD抑制器 |
SOT23 5.2V 20V 3.3V 18A -65°C~150°C |
￥2.0388
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85 | 当前型号 | ||||||||||||
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PESD3V3S2UAT,215 | Nexperia | 数据手册 | TVS二极管 |
SOT23 5.2V 20V 3.3V 18A -65°C~150°C |
￥1.8464
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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STZ5.6NT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
5.6V SOT-346 60 Ohms 200mW ±5% -55°C~150°C 1uA @ 2.5V |
￥1.7103
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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SP0502BAHTG | Littelfuse | 数据手册 | TVS二极管 |
SOT-23 8.5V 5.5V -40°C~85°C 单向 |
￥0.8592
|
2,072 | 对比 | ||||||||||||
|
|
STZ5.6NT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
5.6V SOT-346 60 Ohms 200mW ±5% -55°C~150°C 1uA @ 2.5V |
￥1.8303
|
1,619 | 对比 | ||||||||||||
|
|
STZ5.6NT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 稳压(齐纳)二极管 |
5.6V SOT-346 60 Ohms 200mW ±5% -55°C~150°C 1uA @ 2.5V |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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