制造商编号 | PHB33NQ20T,118 |
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商品别名 | PHB33NQ20T |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A-PHB33NQ20T,118 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT404 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 77mΩ@15A,10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 230W | |
工作温度 | -55°C~175°C | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 200V | |
输入电容 | 1870pF | |
输出电容 | 230pF | |
连续漏极电流Id | 32.7A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:800
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交期: 3天-5天 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管,专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 405,000 |
S-LP2408LT1G | 102,055 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
LP3418DT2AG | 24,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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PHB33NQ20T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PHB33NQ20T_SOT404 N-Channel 230W -55°C~175°C ±20V 200V 32.7A |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
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IRFS38N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDB52N20TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRFR3411PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 32A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDB52N20TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±30V 357W(Tc) 49m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 200V 52A 49 毫欧 @ 26A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IRF640NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |