| 制造商编号 | PMCM6501VPEZ |
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| 商品别名 | PMCM6501VPE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-PMCM6501VPEZ |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | NAX000 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 33mΩ@2.5V,25mΩ@4.5V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.556W | |
| 工作温度 | 150℃ | |
| 栅极电压Vgs | -0.6V,8V | |
| 漏源极电压Vds | -12V | |
| 输入电容 | 1400pF | |
| 输出电容 | 430pF | |
| 连续漏极电流Id | -8.2A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,500
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交期： 请咨询客服 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002KLT1G | 183,100 |
| L2N7002LT1G | 180,550 |
| L2SK3018WT1G | 150,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 105,000 |
| S-L2N7002SLT1G | 42,000 |
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