参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | |
| 输入电容Ciss | 715pF @ 6V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 连续漏极电流Id | 2.9A(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 110mΩ@2.2A,10V | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW(Ta) | |
| 栅极电荷Qg | 13nC @ 4.5V | |
| FET 类型 | P-Channel | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期:
12W
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| 起订量: 3,000 | 倍数:1 |
高可靠性厚膜电阻,体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能,适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富,覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
低温共烧陶瓷(LTCC)工艺,低剖面厚度与低插入损耗,适用于高频率、高稳定性的射频应用
具有无卤环氧树脂、高元件和设备可靠性,封装形式多样
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| 2N7002BK,215 | 201,600 |
| BSS84AK,215 | 129,000 |
| BSS138P,215 | 123,000 |
| LBSS138DW1T1G | 96,000 |
| S-LP2301LT1G | 92,263 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2321-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.9A(Ta) 110mΩ@2.2A,10V 20V 350mW(Ta) ±12V TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23 |
暂无价格 | 3,440 | 对比 |
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PMV48XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.51W 150°C 12V -20V -3.5A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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PMV50UPE,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 66mΩ@3.2A,4.5V 0.5W -55°C~150°C ±8V -20V -3.7A |
暂无价格 | 599 | 对比 |
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DMP2305U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 1.4W 60mΩ 20V 500mV P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AO3435 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -20V 8V -2.9A 1W 70mΩ@4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |