参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 25V | |
| 连续漏极电流Id | 30A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 7.6mΩ | |
| VGS(th) | 3 | |
| Ciss(pF) | 1022 | |
| Coss(pF) | 574 | |
| Crss(pF) | 63 | |
| Qg*(nC) | 6.2 | |
| Qgd(nC) | 3.5 | |
| Td(on)(ns) | 7.5 | |
| Td(off)(ns) | 17.5 | |
| Trr(ns) | 15.3 | |
| Qrr(nC) | 20 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 243,000 |
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON7502 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 25V 30A 31W 4.7mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 17.6A(Ta) |
￥1.375
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1,910 | 对比 | ||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMT3004LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.1W(Ta),42W(Tc) +20V,-16V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 10.4A(Ta),25A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRFH8325TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NVTFS4824NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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