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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | Ultra SO8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | Yes | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 50A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 60W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 13mΩ | |
| VGS(th) | 3 | |
| Ciss(pF) | 1600 | |
| Coss(pF) | 320 | |
| Crss(pF) | 100 | |
| Qg*(nC) | 10.5 | |
| Qgd(nC) | 4.8 | |
| Td(on)(ns) | 6.5 | |
| Td(off)(ns) | 33 | |
| Trr(ns) | 31 | |
| Qrr(nC) | 33 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AOL1454 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
Ultra SO8 N-Channel 40V 20V 50A 60W 9mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FDS4672A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 13m Ohms@11A,4.5V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 11A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOL1454_001 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A(Ta),50A(Tc) N-Channel ±20V 9 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2.1W(Ta),60W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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