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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-247 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 栅极电压Vgs | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 53A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 520W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70mΩ@10V | |
| VGS(th) | 3.8 | |
| Ciss(pF) | 3034 | |
| Coss(pF) | 222 | |
| Crss(pF) | 3 | |
| Qg*(nC) | 59* | |
| Qgd(nC) | 19 | |
| Td(on)(ns) | 48 | |
| Td(off)(ns) | 215 | |
| Trr(ns) | 664 | |
| Qrr(nC) | 14000 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：240
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOK53S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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IPW60R070CFD7 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPW60R070CFD7XKSA1_TO-247 |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||
|
SPW47N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SPW47N60C3FKSA1_PG-TO247-3 |
￥23.925
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12 | 对比 | ||||||
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STW48N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥10.395
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5 | 对比 | ||||||
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STW48N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IPW60R080P7XKSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPW60R080P7_TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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