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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 连续漏极电流Id | 45A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 100W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.4mΩ@20A,4.5V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 5.7mΩ | |
| VGS(th) | 1.6 | |
| Ciss(pF) | 3860 | |
| Coss(pF) | 740 | |
| Crss(pF) | 580 | |
| Qg*(nC) | 36 | |
| Qgd(nC) | 12 | |
| Td(on)(ns) | 7 | |
| Td(off)(ns) | 70 | |
| Trr(ns) | 17 | |
| Qrr(nC) | 36 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 20V ±12V 45A 100W 4.4mΩ@20A,4.5V -55℃~175℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRLR3717PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLR3717TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLR6225TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 63W(Tc) -50°C~150°C(TJ) 4mΩ@21A,4.5V N-Channel 20V 100A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLR6225PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-50°C~150°C(TJ) 100A 5.2mΩ 63W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRLR3717TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 20V 120A(Tc) ±20V 89W(Tc) 4mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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