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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 500V | |
| 栅极电压Vgs | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 2.8A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 57W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3000mΩ@10V | |
| VGS(th) | 4.7 | |
| Ciss(pF) | 276 | |
| Coss(pF) | 31.4 | |
| Crss(pF) | 2.6 | |
| Qg*(nC) | 6.7 | |
| Qgd(nC) | 2.7 | |
| Td(on)(ns) | 11 | |
| Td(off)(ns) | 20.5 | |
| Trr(ns) | 134 | |
| Qrr(nC) | 890 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD3N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 500V 30V 2.8A 57W 3000mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD3NK50ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STD3NK50ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STD3NK50ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SPD02N50C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SPD02N50C3BTMA1_N-Channel 560V 1.8A(Tc) ±20V 25W(Tc) 3Ω@1.1A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPD50R3K0CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD50R3K0CEAUMA1_500V 2.6A 2.7Ω 20V 26W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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