参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SO-8 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | -30V | |
| 栅极电压Vgs | 25V | |
| 连续漏极电流Id | -17A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.2mΩ@10V | |
| VGS(th) | -2.6 | |
| Ciss(pF) | 2823 | |
| Coss(pF) | 574 | |
| Crss(pF) | 424 | |
| Qg*(nC) | 54* | |
| Qgd(nC) | 16 | |
| Td(on)(ns) | 12.5 | |
| Td(off)(ns) | 49 | |
| Trr(ns) | 22.3 | |
| Qrr(nC) | 8.8 |
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用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
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