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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT晶体管 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 20A | |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 40A | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.8V @ 15V,10A | |
| 功率 | 163W | |
| 开关能量 | 260µJ(开),70µJ(关) | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 10ns/72ns | |
| 测试条件 | 400V,10A,30 欧姆,15V | |
| 反向恢复时间（trr） | 105ns | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 关闭开关能量 | 0.07mJ | |
| 关闭时间 | 80.8ns | |
| 包装类型 | 管 | |
| 安装 | THT | |
| 封装/外壳 | TO220 | |
| 开启开关能量 | 0.26mJ | |
| 开启时间 | 25ns | |
| FET类型 | IGBT | |
| 栅极 - 发射极电压 | ±20V | |
| 耗电 | 82W | |
| 脉冲集电极电流 | 40A | |
| 集电极-发射极电压 | 600V | |
| 集电极-发射极饱和电压 | 1.53V | |
| 集电极电流 | 10A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE60TD65BT | 7,200 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AOT10B60D | AOS | 数据手册 | IGBT晶体管 |
163W -55°C ~ 175°C(TJ) TO220 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRGB4060DPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C ~ 175°C(TJ) 99W TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRG4BC20KD | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
60W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRG4BC20KDPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C ~ 150°C(TJ) 60W TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRG4BC20S | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
60W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRG4BC20SPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C ~ 150°C(TJ) 60W TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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