参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT晶体管 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 23A | |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 20A | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.8V @ 15V, 5A | |
| 功率 | 54.4W | |
| 开关能量 | 140µJ(开),40µJ(关) | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/82ns | |
| 测试条件 | 400V,5A,60 欧姆,15V | |
| 反向恢复时间（trr） | 98ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252,(D-Pak) |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE60TD65BT | 10,200 |
| CRG15T60A83L | 7,000 |
| NCE40TD65BT | 2,400 |
| NCE80TD65BT | 1,581 |
| NCE40TD120VT | 1,574 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD5B60D | AOS | 数据手册 | IGBT晶体管 |
54.4W -55°C~150°C(TJ) TO-252,(D-Pak) |
暂无价格 | 20 | 当前型号 |
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IRGR3B60KD2TRP | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~150°C(TJ) 52W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRG4RC10KDTRPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~150°C(TJ) 38W D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRGR3B60KD2TRRP | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
52W -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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