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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SIC MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 118A(Tc) | |
| Vgs(最大值) | +22V,-4V | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 22.1mOhms@47A,18V | |
| 栅极电压Vgs | 5.6V@23.5mA | |
| 栅极电荷Qg | 172nC@18V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 427W | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| 工作温度 | 175℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 650V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV3Q12035T4Z | 557 |
| IV2Q171R0T3 | 530 |
| IV3Q12013T4Z | 522 |
| IV2Q12030T4Z | 441 |
| IV1Q12080T4Z | 398 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SCT3017ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
￥880.5076
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450 | 对比 | |||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
￥880.5076
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431 | 对比 | |||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET | 暂无价格 | 309 | 对比 | |||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SIC MOSFET |
￥428.9706
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0 | 对比 |
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