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小信号MOSFET   SOT-23

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制造商编号 DMN3051L-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-DMN3051L-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:38mΩ@5.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 424pF @ 5V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 38mΩ@5.8A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 5.8A
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库存 :  35,000

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