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功率MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63

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制造商编号 FCD900N60Z
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A3-FCD900N60Z
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc)
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商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 600V
连续漏极电流Id 4.5A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 720pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 52W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.3A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63
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