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功率MOSFET   Tube TO-220-3

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制造商编号 FCPF850N80Z
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-FCPF850N80Z
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:6 A 封装/外壳:Tube FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:850 m0hms 漏源极电压Vds:800 V
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商品目录 功率MOSFET
Ciss - 输入电容 990 pF
连续漏极电流Id 6 A
封装/外壳 Tube
FET类型 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
标准断开延迟时间 40 ns
Pd - 功率消耗 28.4 W
配置 Single
Qg - 闸极充电 22 nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 850 m0hms
漏源极电压Vds 800 V
栅极电压Vgs 20V
栅极电压Vgs 4.5 V
上升时间 10 ns
下降时间 4.5 ns
漏源极电压Vds 800V
连续漏极电流Id 6A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1315pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max) 28.4W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@3A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
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