参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| FET类型 | 放大器 | |
| 封装/外壳 | 8-SO | |
| CMRR - 共模抑制比 | 70 dB | |
| GBP-增益带宽产品 | 900 kHz | |
| Ib - 输入偏流 | 150 nA | |
| SR - 转换速率 | 0.4 V/us | |
| Vos - 输入偏置电压 | 3 mV | |
| en - 输入电压噪声密度 | 50nV/sqrtHz | |
| 关闭 | No Shutdown | |
| 双重电源电压 | ±3V,±5V,±9V | |
| 宽度 | 4mm(Max) | |
| 工作电源电压 | 3Vto32V,±1.5Vto±16V | |
| 工作电源电流(mA) | 1.2mA | |
| 放大器类型 | GeneralPurposeAmplifier | |
| 最大双重电源电压 | ±16V | |
| 最小双重电源电压 | ±1.5V | |
| 电压增益 dB | 100dB | |
| 电源电压-最大 | 32 V | |
| 电源电压-最小 | 3 V | |
| 电源类型 | Single,Dual | |
| 系列 | TSM103W | |
| 通道数量 | 2 Channel | |
| 长度 | 5mm(Max) | |
| 高度 | 1.65mm(Max) | |
| 工作温度 | -40°C~105°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
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交期： 5天-7天 |
具备高达150°C的工作温度，专为高温、高可靠性应用设计
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
2512封装，专为高电流、高功率应用设计，具备优异的电气性能和机械稳定性
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| COS6004SR | 18,000 |
| BU7242YFVM-CGTR | 9,000 |
| CA-IS1311G | 1,409 |
| NSI1311-DSWVR | 553 |
| TLV9061IDBVR | 408 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TSM103WAIDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SO |
暂无价格 | 105,000 | 当前型号 | ||||||||||
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AP4310AMTR-G1 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SO |
￥0.7227
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39,164 | 对比 | ||||||||||
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LM358S-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
￥0.7623
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1,934 | 对比 | ||||||||||
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MC33078DR | TI | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
￥1.507
|
1,765 | 对比 | ||||||||||
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BA15532F-E2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
暂无价格 | 138 | 对比 | ||||||||||
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BA15532F-E2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
￥3.9767
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79 | 对比 |
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