制造商编号 | IRFB3307ZPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A3-IRFB3307ZPBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:120A Rds On(Max)@Id,Vgs:4.6mΩ
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 4750pF @ 50V | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC | |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 4750pF | |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 50V | |
封装/外壳 | TO-220AB | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 75V | |
连续漏极电流Id | 120A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
Qg-栅极电荷 | 79nC | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 230W | |
高度 | 15.65mm | |
长度 | 10mm | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 4.4mm |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:1,000
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交期: 请咨询客服 |
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRFB3307ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB 10mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||
STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
¥3.641
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1,975 | 对比 | |||||||||
IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB 10mm |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | |||||||||
IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB 10mm |
¥5.192
|
167 | 对比 | |||||||||
IRF3808PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB 10mm |
¥6.71
|
138 | 对比 | |||||||||
STP110N7F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 2 | 对比 |